Transistor PNP, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BCR562E6327HTSA1
| Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 1.38fr | 1.49fr |
| 2 - 2 | 1.31fr | 1.42fr |
| 3 - 4 | 1.24fr | 1.34fr |
| 5 - 9 | 1.21fr | 1.31fr |
| 10 - 24 | 1.17fr | 1.26fr |
| Quantité (Lot de 10) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 1.38fr | 1.49fr |
| 2 - 2 | 1.31fr | 1.42fr |
| 3 - 4 | 1.24fr | 1.34fr |
| 5 - 9 | 1.21fr | 1.31fr |
| 10 - 24 | 1.17fr | 1.26fr |
Transistor PNP, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BCR562E6327HTSA1. Transistor PNP, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 4.7k Ohms. Diode BE: non. Résistance BE: 4.7k Ohms. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Transistor numérique au silicium PNP. Gain hFE mini: 50. Marquage sur le boîtier: XUs. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 12:25.
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