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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A - BD244C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A - BD244C
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.38fr 1.49fr
5 - 9 1.31fr 1.42fr
10 - 24 1.27fr 1.37fr
25 - 49 1.24fr 1.34fr
50 - 99 1.22fr 1.32fr
100 - 249 0.59fr 0.64fr
250 - 668 0.57fr 0.62fr
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Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A - BD244C. Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD244C. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Produit d'origine constructeur Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

Documentation technique

Produits équivalents :

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BD244CG

BD244CG

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BD244CG
Transistor PNP, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD243C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V
BD244CG
Transistor PNP, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD243C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V
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(1.25fr HT)
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