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Semi-conducteurs Transistors Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V - BD246C-TI

Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V - BD246C-TI
Quantité HT TTC
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100 - 249 2.60fr 2.81fr
250+ 2.51fr 2.71fr
Quantité U.P
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Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V - BD246C-TI. Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 80W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD245C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Produit d'origine constructeur Texas Instruments. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 13:25.

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Transistor PNP, 10A, TO-247, TO-247, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-247. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 15A. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP33C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 1V
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