Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.23fr | 0.25fr |
10 - 24 | 0.21fr | 0.23fr |
25 - 49 | 0.20fr | 0.22fr |
50 - 99 | 0.19fr | 0.21fr |
100 - 249 | 0.0859fr | 0.0929fr |
250 - 499 | 0.0806fr | 0.0871fr |
500 - 3000 | 0.0752fr | 0.0813fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.23fr | 0.25fr |
10 - 24 | 0.21fr | 0.23fr |
25 - 49 | 0.20fr | 0.22fr |
50 - 99 | 0.19fr | 0.21fr |
100 - 249 | 0.0859fr | 0.0929fr |
250 - 499 | 0.0806fr | 0.0871fr |
500 - 3000 | 0.0752fr | 0.0813fr |
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 80V, 500mA - MMBTA56LT1G-2GM. Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 80V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2GM. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.
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