Transistor SI4800BDY-T1-E3

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.21fr	1.31fr
5 - 9	1.15fr	1.24fr
10 - 24	1.09fr	1.18fr
25 - 49	1.03fr	1.11fr
50 - 59	1.01fr	1.09fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.21fr	1.31fr
5 - 9	1.15fr	1.24fr
10 - 24	1.09fr	1.18fr
25 - 49	1.03fr	1.11fr
50 - 59	1.01fr	1.09fr

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Transistor SI4800BDY-T1-E3. Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40Ap. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4800B. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.0155 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, MOSFET de puissance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.

Documentation technique