FR
DE IT
Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers

Transistor SPA08N80C3

Transistor SPA08N80C3
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Quantité HT TTC
1 - 2 3.44fr 3.72fr
Quantité U.P
1 - 2 3.44fr 3.72fr
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Quantité en stock : 2
Lot de 1

Transistor SPA08N80C3. Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 46pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: 08N60C3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.56 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.

Produits équivalents :

Quantité en stock : 324
SPA11N80C3

SPA11N80C3

Transistor. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de tran...
SPA11N80C3
Transistor. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 33A. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Dissipation de puissance maxi: 41W. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
SPA11N80C3
Transistor. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 33A. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Dissipation de puissance maxi: 41W. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
Lot de 1
4.19fr TTC
(3.88fr HT)
4.19fr
Quantité en stock : 716
FQPF8N80C

FQPF8N80C

Transistor. C (in): 1580pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quanti...
FQPF8N80C
Transistor. C (in): 1580pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 690 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Date de production: 201432. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 59W. Résistance passante Rds On: 1.29 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non
FQPF8N80C
Transistor. C (in): 1580pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 690 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Date de production: 201432. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 59W. Résistance passante Rds On: 1.29 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non
Lot de 1
2.18fr TTC
(2.02fr HT)
2.18fr

Nous vous recommandons aussi :

Quantité en stock : 1425
1-5KE18CA

1-5KE18CA

Diode Transil. Ubr [V] @ Ibr [A]: 18V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 18.9V @ 1mA. Courant de fuite à la ...
1-5KE18CA
[LONGDESCRIPTION]
1-5KE18CA
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.54fr TTC
(0.50fr HT)
0.54fr
Quantité en stock : 143
TNY277PN

TNY277PN

Circuit intégré. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîti...
TNY277PN
[LONGDESCRIPTION]
TNY277PN
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.32fr TTC
(2.15fr HT)
2.32fr
Quantité en stock : 25
COIL-7652

COIL-7652

Bobine accordable. Remarque: CKT4442B. Remarque: PC04X...
COIL-7652
[LONGDESCRIPTION]
COIL-7652
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.17fr TTC
(1.08fr HT)
1.17fr
Quantité en stock : 2
FQPF10N60C

FQPF10N60C

Transistor. C (in): 1570pF. C (out): 166pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de tran...
FQPF10N60C
[LONGDESCRIPTION]
FQPF10N60C
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
3.83fr TTC
(3.54fr HT)
3.83fr
Quantité en stock : 36
DSC477M025S1ACH12K

DSC477M025S1ACH12K

Condensateur électrochimique, 25V, 470uF. Tension continue: 25V. Capacité: 470uF. Diamètre: 10mm....
DSC477M025S1ACH12K
[LONGDESCRIPTION]
DSC477M025S1ACH12K
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.27fr TTC
(0.25fr HT)
0.27fr
Quantité en stock : 18
FQPF8N60C

FQPF8N60C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé....
FQPF8N60C
[LONGDESCRIPTION]
FQPF8N60C
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
5.76fr TTC
(5.33fr HT)
5.76fr
Quantité en stock : 9
PPE-TIN2-E040G

PPE-TIN2-E040G

Diamètre: 28...45um. Eutectique: oui. Température de soudure: +280...+410°C. Composition chimique...
PPE-TIN2-E040G
[LONGDESCRIPTION]
PPE-TIN2-E040G
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
25.54fr TTC
(23.63fr HT)
25.54fr

Renseignements et aide technique

Par téléphone :

Paiement et livraison

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

S'abonner à la newsletter

J'accepte de recevoir des emails, et je comprends que je peux me désabonner à tout moment après inscription.

Tous droits réservés, RPtronics, 2024.