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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor STP11NM60FP

Transistor STP11NM60FP
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Transistor STP11NM60FP. Transistor. C (in): 1000pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.

Documentation technique

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Transistor. C (in): 850pF. C (out): 44pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 6.3A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 11NM60ND. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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Lot de 1
4.24fr TTC
(3.92fr HT)
4.24fr
Quantité en stock : 46
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Transistor. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. T...
STP13NM60N
Transistor. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ID pulse 44A. Protection G-S: non
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Transistor. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ID pulse 44A. Protection G-S: non
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