Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.76fr | 1.90fr |
5 - 9 | 1.67fr | 1.81fr |
10 - 24 | 1.58fr | 1.71fr |
25 - 49 | 1.49fr | 1.61fr |
50 - 81 | 1.46fr | 1.58fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.76fr | 1.90fr |
5 - 9 | 1.67fr | 1.81fr |
10 - 24 | 1.58fr | 1.71fr |
25 - 49 | 1.49fr | 1.61fr |
50 - 81 | 1.46fr | 1.58fr |
Transistor STP4NB80FP. Transistor. C (in): 700pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Id (T=100°C): 2.4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.
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