Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.75fr | 0.81fr |
5 - 9 | 0.71fr | 0.77fr |
10 - 24 | 0.68fr | 0.74fr |
25 - 49 | 0.64fr | 0.69fr |
50 - 77 | 0.62fr | 0.67fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.75fr | 0.81fr |
5 - 9 | 0.71fr | 0.77fr |
10 - 24 | 0.68fr | 0.74fr |
25 - 49 | 0.64fr | 0.69fr |
50 - 77 | 0.62fr | 0.67fr |
Transistor IRF610. Transistor. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 2.1A. Id (T=25°C): 3.3A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 36W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.
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