Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.29fr | 1.39fr |
5 - 9 | 1.23fr | 1.33fr |
10 - 24 | 1.16fr | 1.25fr |
25 - 49 | 1.10fr | 1.19fr |
50 - 99 | 1.07fr | 1.16fr |
100 - 119 | 0.97fr | 1.05fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.29fr | 1.39fr |
5 - 9 | 1.23fr | 1.33fr |
10 - 24 | 1.16fr | 1.25fr |
25 - 49 | 1.10fr | 1.19fr |
50 - 99 | 1.07fr | 1.16fr |
100 - 119 | 0.97fr | 1.05fr |
Transistor IRF9630. Transistor. C (in): 700pF. C (out): 200pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 26A. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 74W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.
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