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Transistor TK6A60D

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Transistor TK6A60D. Transistor. C (in): 800pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 24A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. Marquage sur le boîtier: K6A60D. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.

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