Transistors

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: CSC2342. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: hauteur 5mm

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 5A. Marquage sur le boîtier: C2500. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor au silicium épitaxial NPN. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 200V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 17A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D17/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D6/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Fonction: hFE 100...200. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 19pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 155 MHz. Fonction: HF. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Courant de collecteur: 1.2A. Ic(puls): 2.5A. Marquage sur le boîtier: C2690A Y. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1220A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 1.8pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 800mA. Marquage sur le boîtier: C2705. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Remarque: 9mm. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1145. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.1A. Marquage sur le boîtier: DG. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 300mV. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS DG. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1163. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-103. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-236. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Pour la mise en sourdine et la commutation. Gain hFE maxi: 1200. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 300mA. Dissipation de puissance maxi: 400mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 130 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.042V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Vebo: 25V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V/160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 70mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SC2910. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V/160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 70mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 400. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): 70mA. Plage de température de fonctionnement max (°C): 140mA. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1208

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.14A. Ic(puls): 0.2A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1209. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Courant de collecteur: 7A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D18/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V/100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Commutation à courant élevé. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 5A. Marquage sur le boîtier: C3074. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 2. Remarque: pour applications de commutation. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SA1244. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V