Transistors

Transistor. C (in): 430pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 14.8A. Id (T=100°C): 3.7A. Id (T=25°C): 3.7A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: K3699. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 43W. Résistance passante Rds On: 3.31 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 32 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Super FAP-G Series. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2200pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1700 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 24A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K3799. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 65 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( SC-67 ). Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 96pF. C (out): 29pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 2.8A. Id (T=25°C): 0.7A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K3850. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. Résistance passante Rds On: 14 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 16 ns. Td(on): 9 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2200pF. C (out): 45pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1.4us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 27A. Id (T=100°C): 5.3A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K3878. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 65 ns. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 4250pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1350 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Id(imp): 80A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 500uA. Marquage sur le boîtier: K3911. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Type MOS à effet de champ (MACH-II-MOS VI). Boîtier: TO-3PN. Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 4250pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 380 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Id(imp): 92A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 500uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Type MOS à effet de champ (MACH-II-MOS VI). Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 2400pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 52A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K4012. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 70 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOS VI). Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 1400pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 18A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K4013 Q. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 80 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( 2-10U1B ). Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOS IV). Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor driver. Id(imp): 20A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 60V. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (U-MOS III)

Transistor. C (in): 2900pF. C (out): 450pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de commutation à courant élevé. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K4075. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 52W. Résistance passante Rds On: 5.2m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 54 ns. Td(on): 18 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Technologie: MOSFET DE PUISSANCE, transistor à effet de champ. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3400pF. C (out): 320pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): n/a. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): n/a. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.21 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 280 ns. Td(on): 130 ns. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (MOS VI). Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: V-MOS. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Tension Vds(max): 800V

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 2.5 Ohms. Tension Vds(max): 850V

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Technologie: V-MOS. Tension Vds(max): 800V

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Technologie: V-MOS. Tension Vds(max): 800V. Remarque: (F)

Transistor. C (in): 900pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à grande vitesse. Id(imp): 12A. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: V-MOS S-L. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 1.8A. Id (T=25°C): 0.6A. Idss (maxi): 0.6A. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD. Tension Vds(max): 100V. Fonction: commande de relais, commande de moteur

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.046 Ohms. Technologie: V-MOS. Tension Vds(max): 60V

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 26A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 800V

Transistor. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Fast-switching. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: D13009K. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: D209L. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(min): 0.7us. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 20. Gain hFE mini: 16. Courant de collecteur: 1.5A. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: 4202BD. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tension de saturation VCE(sat): 0.18V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 490V. Vebo: 13V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. C (in): 7pF. C (out): 5.9pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. Id (T=25°C): 0.15A. Idss (maxi): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 0.15W. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 150 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): SSFP. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.3V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.4V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-343. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Tension drain-source Uds [V]: 12.5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V/40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W