Transistors

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A743. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 120 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Spec info: remplaçant

Transistor. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: GE. FT: 1250 MHz. Courant de collecteur: 20mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-39. Boîtier (selon fiche technique): SOT-39. Type de transistor: PNP. Vcbo: 20V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 13V. Vebo: 0.3V

Transistor. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: 4502C. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2)

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 52A. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Puissance: 228W. Boîtier: TO-247AC. Diode intégrée: oui. Tension drain - source (Vds): 1200V

Transistor. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUDIO POWER MOSFET. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Idss (min): 10mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 14V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ALF08P20V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUDIO POWER MOSFET. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Idss (min): 10mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 14V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ALF08N20V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 630pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 16.8 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 25A. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 5.7A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Résistance passante Rds On: 22m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21.5 ns. Td(on): 3.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 12V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 933pF. C (out): 108pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 21 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 25A. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 5.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 1.3V. Vgs(th) min.: 0.6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Spec info: Tension de grille de fonctionnement aussi basse que 2.5V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 621pF. C (out): 118pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Id (T=100°C): 4.9A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Résistance passante Rds On: 23.4m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15.1 ns. Td(on): 4.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 520pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 25A. Id (T=100°C): 3.5A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 4.1A. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1160pF. C (out): 187pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 17.7 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 30A. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Résistance passante Rds On: 18M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 51.7 ns. Td(on): 6.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Protection ESD. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 2060pF. C (out): 370pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 7.4A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.7W. Résistance passante Rds On: 0.0085 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4407A. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2330pF. C (out): 480pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: FET. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 10.5A. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. Résistance passante Rds On: 0.0094 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 49.5 ns. Td(on): 12.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 6060pF. C (out): 638pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 33.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. Résistance passante Rds On: 0.0047 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 51.5 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Spec info: résistance de grille ultra-faible. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P

Transistor. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Résistance passante Rds On: 28/35m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP-8. Quantité par boîtier: 2. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P. Spec info: remplace le MOSFET

Transistor. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A

Transistor. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Type de transistor: MOSFET. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Idss: 1...5uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 16.2/4.8 ns. Td(on): 6.4 ns. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Quantité par boîtier: 2. Remarque: IDM--30Ap & 30Ap. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: 0.032R&0.048R (32 & 48m Ohms). Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Technologie: MOS-N&P-FET, Complementary ESD rating--3000V (HBM)