Transistors

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-93. Boîtier (norme JEDEC): SOT-93. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD250C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 6A. Remarque: >750. Dissipation de puissance maxi: 60W. Boîtier: SOT-82. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 22V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD438. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. Courant de collecteur: 4A. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Puissance: 36W. Fréquence maxi: 3MHz. Boîtier: TO-126. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 7A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 36W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD438. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Courant de collecteur: -4A. Puissance: 36W. Fréquence maxi: 3MHz. Boîtier: TO-126. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 7A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 36W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD437. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Courant de collecteur: -4A. Puissance: 36W. Fréquence maxi: 3MHz. Boîtier: TO-126 FULLPACK

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 7A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): SOT-32. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD440. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD440. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 4A. Puissance: 36W. Fréquence maxi: 3MHz. Boîtier: TO-126

Transistor. Marquage du fabricant: BD441G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 4A. Puissance: 36W. Fréquence maxi: 3MHz. Boîtier: TO-126. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD442. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 7A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD441. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: boîtier isolé. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 20. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 1.5V

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 1500. Gain hFE mini: 750. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 62.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms)

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD649. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 62.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD652. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 62.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD677. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD677A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD677AG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD678. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE mini: 750. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD677A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: oui