Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD679. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE mini: 750. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 2.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD680A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: oui. Résistance B: oui. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: hFE 750. Courant de collecteur: 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD679. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10MHz. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Gain hFE mini: 750. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 14W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD679A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Courant de collecteur: 4A. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Diode intégrée: oui. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Puissance: 40W. Boîtier: TO-126. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 750. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD682. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD681G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Fréquence de coupure ft [MHz]: NF-L. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: PNP. Type: transistor Darlington. Diode intégrée: oui. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -4A. Puissance: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD681

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD682G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Remarque: >750. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 15W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD809G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD810G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 75 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 8W. Boîtier: TO-202. Boîtier (selon fiche technique): TO-202; SOT128B. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD829. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE mini: 750. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD902

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Remarque: >750. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD901

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 90W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Diode CE: oui

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Résistance B: transistor de puissance NPN. Résistance BE: 100V. C (in): 15A. C (out): 90W. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD912. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD912. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220AB. C (out): TO-220AB. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): +150°C. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD911. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD911. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1

ROHS: Oui. Boîtier: SOT223

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDP949. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDP950. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP