Transistors

Transistor. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Gain hFE maxi: +150°C. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 12A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistors Darlington de puissance complémentaire. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Puissance: 60W. Fréquence maxi: 20MHz. Gain hFE min.: 750. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) BDX54C. Fonction: amplificateur audio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Date de production: 2014/32. Gain hFE mini: 750. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 12A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistors Darlington de puissance complémentaire. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Résistance B: Transistor de puissance Darlington. Résistance BE: transistor Darlington. C (in): -100V. C (out): -8A. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) BDX53C. Unité de conditionnement: 50. Fonction: amplificateur audio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Résistance BE: R1 typ. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Transistors Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE mini: 750. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 12A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Boîtier: TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX53F. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7 MHz. Courant de collecteur: 16A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Fonction: hFE 1000. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX67C

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7 MHz. Courant de collecteur: 16A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Fonction: hFE 1000. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX67C

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: alimentation à découpage. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 95W. RoHS: non. Td(off): 3.5us. Td(on): 0.5us. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 750V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 36W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. C (out): 3.5pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1100 MHz. Fonction: TV-IF. Courant de collecteur: 100mA. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 40V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Vebo: 4 v. Résistance B: transistor NPN. Résistance BE: RF-POWER. C (in): 25V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Fonction: TV-IF-reVHF. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BF240. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Type de transistor: transistor FET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 2mA. Courant de drain maxi: TO-92

Transistor. C (in): 4pF. C (out): 1.6pF. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 15mA. Idss (min): 6mA. IGF: 10mA. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 8V. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4pF. C (out): 1.6pF. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 25mA. Idss (min): 12mA. IGF: 10mA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 8V. Tension grille/source VGS (off) max.: 7.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): AM/FM/VHF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BF246A. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -14.5V @ +15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 39V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 14.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.6V. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.22W

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: FET. Fonction: pour amplificateurs RF VHF/UHF. Idss (maxi): 13mA. Idss (min): 6mA. IGF: 10mA. Dissipation de puissance maxi: 350W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 0.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: FET. Fonction: pour amplificateurs RF VHF/UHF. Idss (maxi): 18mA. Idss (min): 11mA. IGF: 10mA. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 0.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 450 MHz. Courant de collecteur: 25mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (out): 2pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 500mA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 800mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF421. Diode BE: non. Diode CE: non