Transistors

Transistor. C (in): 5400pF. C (out): 870pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 38A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: commutation rapide, dv/dt dynamique. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4660pF. C (out): 460pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 500W. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 13000pF. C (out): 2100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 870A. Id (T=100°C): 148A. Id (T=25°C): 209A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 470W. Résistance passante Rds On: 3.6m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 75V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP2907PBF. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 125A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 13000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 470W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP2907ZPBF. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 90A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 97 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 7500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 310W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 8970pF. C (out): 1020pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 1080A. Id (T=100°C): 190A. Id (T=25°C): 270A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 375W. Résistance passante Rds On: 2.1M Ohms. RoHS: oui. Poids: 4.58g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5000pF. C (out): 553pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 124A. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 2mA. Idss (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 460W. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 6540pF. C (out): 720pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Id(imp): 840A. Id (T=100°C): 140A. Id (T=25°C): 200A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. Résistance passante Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP3415PBF. Tension drain-source Uds [V]: 150V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 43A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 72 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 2600pF. C (out): 660pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 9.6A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 87 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET de puissance HEXFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Vds(max): 400V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP350PBF. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 19A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 87 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 4500pF. C (out): 1100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 92A. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 400V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3400pF. C (out): 540pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 91A. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 400V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. Marquage du fabricant: IRFP360PBF. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 23A. Puissance: 280W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-247AC HV. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension drain - source (Vds): 400V

Transistor. C (in): 3000pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: FastSwitch. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 51A. Idss (maxi): 51A. Dissipation de puissance maxi: 180W. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP3710PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 58 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Boîtier (norme JEDEC): 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 4600pF. C (out): 460pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. Id (T=100°C): 46A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 0.021 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4560pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 31A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 310W. Résistance passante Rds On: 0.038 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Poids: 5.8g. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 7370pF. C (out): 520pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 5uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 430W. Résistance passante Rds On: 0.049 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Idm--190Ap.. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5860pF. C (out): 530pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutateur PDP. Id(imp): 230A. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 360W. Résistance passante Rds On: 0.029 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Idm--230Ap. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP4468PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 52 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 160 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 19860pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 520W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 2600pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 540 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 56A. Id (T=100°C): 8.7A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 92us. Td(on): 17us. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2200pF. C (out): 320pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 580us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra low Gate Charger. Id(imp): 56A. Id (T=100°C): 8.6A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP450LCPBF. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C