Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFI740G. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 3.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 54 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1370pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 0.55 Ohms 40W

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 4.6A. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohm 40W. Boîtier: TO-220-F. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: diode. Id(imp): 18A. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 4.6A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Tension drain - source (Vds): 500V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFI840GPBF. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 2.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFI9540GPBF. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -6.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 24 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 4.3A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Fonction: td(on) 12ns, td(off) 28ns

Transistor. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss (maxi): 4.1A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. Fonction: td(on) 12ns, td(off) 34ns

Transistor. C (in): 350pF. C (out): 48pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 290ms. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 6A. Id (T=100°C): 1.1A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 4.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 660pF. C (out): 86pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: Switching. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 470ms. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. Id (T=100°C): 2.2A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFIBF30GPBF. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N. Résistance passante Rds On: 0.024 Ohms. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 31A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 55V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FL014N. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 1.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 12 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FA. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 13 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 400pF. C (out): 145pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 11.2A. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 2.8A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRFL024NPBF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 22.2 ns. Td(on): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FL024N. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id (T=100°C): 0.96A. Id (T=25°C): 1.5A. Idss (maxi): 1.5A. Remarque: b47kaa. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 100V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FL110. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 7.7A. Id (T=100°C): 0.6A. Id (T=25°C): 0.96A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Remarque: sérigraphie/code CMS FC. Marquage sur le boîtier: Fc. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: Fc. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.96A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 14 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. C (in): 660pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 30A. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. IGF: 660pF. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FL4310. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FE. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -1.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.6 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 270pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 200pF. C (out): 94pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 8.8A. Id (T=100°C): 0.69A. Id (T=25°C): 1.1A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FF. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP044N. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Boîtier (norme JEDEC): 1. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V