Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.58fr | 1.71fr |
5 - 9 | 1.50fr | 1.62fr |
10 - 24 | 1.42fr | 1.54fr |
25 - 31 | 1.35fr | 1.46fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.58fr | 1.71fr |
5 - 9 | 1.50fr | 1.62fr |
10 - 24 | 1.42fr | 1.54fr |
25 - 31 | 1.35fr | 1.46fr |
Transistor IRFIBC20G. Transistor. C (in): 350pF. C (out): 48pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 290ms. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 6A. Id (T=100°C): 1.1A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 4.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 17:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.