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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V - UF4003

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V - UF4003
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Lot de 10

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V - UF4003. Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.

Documentation technique

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Quantité en stock : 622
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Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41....
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Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S
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Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S
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Diode, 1A, DO-41, DO-41, 1000V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Ifsm [A]: 33A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1.7V @ 1A
UF4007
Diode, 1A, DO-41, DO-41, 1000V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Ifsm [A]: 33A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1.7V @ 1A
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BYV26C
Diode, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 30 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery'. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms
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Diode, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Conditionnement: rouleau. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
SUF4003
Diode, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Conditionnement: rouleau. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
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Diode, 1A, DO-41, DO-41, 600V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S
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Diode, 1A, DO-41, DO-41, 600V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S
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