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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V - UF4003

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V - UF4003
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Lot de 10

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V - UF4003. Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Produit d'origine constructeur Diotec Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 03/07/2025, 20:25.

Documentation technique

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Quantité en stock : 612
UF4006

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Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41....
UF4006
Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
UF4006
Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
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Diode, 1000V, silicium, 1A. VRRM: 1000V. Boîtier: silicium. Courant redressé moyen par diode: 1A. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.7V / 1A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 10uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 75ns. Information: 1.7V @ 1A. Série: UF40. MSL: 5uA..50uA
UF4007
Diode, 1000V, silicium, 1A. VRRM: 1000V. Boîtier: silicium. Courant redressé moyen par diode: 1A. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.7V / 1A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 10uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 75ns. Information: 1.7V @ 1A. Série: UF40. MSL: 5uA..50uA
Lot de 10
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Diode, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 30 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery'. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V
BYV26C
Diode, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 30 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery'. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V
Lot de 1
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Diode, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V
SUF4003
Diode, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V
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Diode, 1A, DO-41, DO-41, 600V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
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Diode, 1A, DO-41, DO-41, 600V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
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