Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.76fr | 0.82fr |
5 - 9 | 0.73fr | 0.79fr |
10 - 24 | 0.70fr | 0.76fr |
25 - 49 | 0.69fr | 0.75fr |
50 - 75 | 0.67fr | 0.72fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.76fr | 0.82fr |
5 - 9 | 0.73fr | 0.79fr |
10 - 24 | 0.70fr | 0.76fr |
25 - 49 | 0.69fr | 0.75fr |
50 - 75 | 0.67fr | 0.72fr |
Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V - 2N3019. Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (in): 60pF. C (out): 12pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 50. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.
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