Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.94fr | 1.02fr |
2 - 2 | 0.90fr | 0.97fr |
3 - 4 | 0.85fr | 0.92fr |
5 - 9 | 0.80fr | 0.86fr |
10 - 24 | 0.41fr | 0.44fr |
25 - 49 | 0.39fr | 0.42fr |
50 - 607 | 0.36fr | 0.39fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.94fr | 1.02fr |
2 - 2 | 0.90fr | 0.97fr |
3 - 4 | 0.85fr | 0.92fr |
5 - 9 | 0.80fr | 0.86fr |
10 - 24 | 0.41fr | 0.44fr |
25 - 49 | 0.39fr | 0.42fr |
50 - 607 | 0.36fr | 0.39fr |
Transistor 2N5401. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N5401. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.
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