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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NPN, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V - 2N5551

Transistor NPN, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V - 2N5551
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Transistor NPN, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V - 2N5551. Transistor NPN, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. C (out): 6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur Diotec Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 03/07/2025, 08:25.

Documentation technique

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MMBT5551
Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: G1. Equivalences: MMBT5551LT1G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS G1 (3S Fairchild). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V
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