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Transistor 2SC5696

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Transistor 2SC5696. Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: haute vitesse. Gain hFE maxi: 11. Gain hFE mini: 3. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 36A. Marquage sur le boîtier: C5696. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 85W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.3us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 5V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Résistance BE: oui. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.

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