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Transistor 2SD1062

Transistor 2SD1062
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Transistor 2SD1062. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 15A. Marquage sur le boîtier: D1062. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Fonction: onduleurs à grande vitesse, convertisseurs, basse saturation. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB826. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

Documentation technique

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