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Transistor AP88N30W

Transistor AP88N30W
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Quantité HT TTC
1 - 1 10.41fr 11.25fr
2 - 2 9.89fr 10.69fr
3 - 4 9.37fr 10.13fr
5 - 9 8.85fr 9.57fr
10 - 14 8.64fr 9.34fr
15 - 19 8.43fr 9.11fr
20 - 29 8.12fr 8.78fr
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Transistor AP88N30W. Transistor. C (in): 8440pF. C (out): 1775pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 160A. Id (T=100°C): 48A. Id (T=25°C): 48A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 88N30W. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 312W. Résistance passante Rds On: 48m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: 'Enhancement-Mode Power MOSFET'. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 01:25.

Documentation technique

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Quantité en stock : 36
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Transistor. C (in): 6300pF. C (out): 950pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Di...
IXTQ88N30P
Transistor. C (in): 6300pF. C (out): 950pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 88A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 600W. Résistance passante Rds On: 40m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 96 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non
IXTQ88N30P
Transistor. C (in): 6300pF. C (out): 950pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 88A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 600W. Résistance passante Rds On: 40m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 96 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non
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13.14fr TTC
(12.16fr HT)
13.14fr

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36.46fr TTC
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