Quantité (Lot de 25) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.58fr | 0.63fr |
2 - 3 | 0.55fr | 0.59fr |
4 - 9 | 0.52fr | 0.56fr |
10 - 19 | 0.49fr | 0.53fr |
20 - 39 | 0.46fr | 0.50fr |
40 - 1312 | 0.43fr | 0.46fr |
Quantité (Lot de 25) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.58fr | 0.63fr |
2 - 3 | 0.55fr | 0.59fr |
4 - 9 | 0.52fr | 0.56fr |
10 - 19 | 0.49fr | 0.53fr |
20 - 39 | 0.46fr | 0.50fr |
40 - 1312 | 0.43fr | 0.46fr |
Diode BAS16. Diode. Cj: 1.5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de commutation à haute vitesse. IF(AV): 215mA. IFSM: 1A. IRM (max): 0.5uA. IRM (min): 30nA. Marquage sur le boîtier: A6W. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 715mV. VRRM: 100V. Spec info: IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us). Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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