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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor BC182B

Transistor BC182B
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Quantité HT TTC
1 - 9 0.17fr 0.18fr
10 - 24 0.17fr 0.18fr
25 - 49 0.16fr 0.17fr
50 - 99 0.15fr 0.16fr
100 - 249 0.14fr 0.15fr
250 - 262 0.13fr 0.14fr
Quantité U.P
1 - 9 0.17fr 0.18fr
10 - 24 0.17fr 0.18fr
25 - 49 0.16fr 0.17fr
50 - 99 0.15fr 0.16fr
100 - 249 0.14fr 0.15fr
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Transistor BC182B. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 240. Courant de collecteur: 0.1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 12:25.

Documentation technique

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Lot de 1
0.06fr TTC
(0.06fr HT)
0.06fr
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Lot de 10
0.52fr TTC
(0.48fr HT)
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