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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor PNP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC807-25

Transistor PNP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC807-25
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Transistor PNP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC807-25. Transistor PNP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Marquage sur le boîtier: 5B. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 5B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 03/07/2025, 19:25.

Documentation technique

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Transistor PNP, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V, SOT23, -45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Boîtier: SOT23. Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Marquage sur le boîtier: 5C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 5C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: PNP. Puissance: 0.31W. Tension base / collecteur VCBO: -50V. Type de montage: SMD. Bande passante MHz: 100MHz. Gain hFE min.: 250. Courant maximum 1: NF-TR. Tension IGBT VRSM maxi: 600. Information: 250. Série: BC. MSL: 1A
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