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Transistor BCY59

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Transistor BCY59. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200A. Dissipation de puissance maxi: 0.34W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.75V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 12:25.

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