Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.49fr | 0.53fr |
5 - 9 | 0.47fr | 0.51fr |
10 - 24 | 0.45fr | 0.49fr |
25 - 49 | 0.44fr | 0.48fr |
50 - 99 | 0.43fr | 0.46fr |
100 - 249 | 0.42fr | 0.45fr |
250 - 1132 | 0.43fr | 0.46fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.49fr | 0.53fr |
5 - 9 | 0.47fr | 0.51fr |
10 - 24 | 0.45fr | 0.49fr |
25 - 49 | 0.44fr | 0.48fr |
50 - 99 | 0.43fr | 0.46fr |
100 - 249 | 0.42fr | 0.45fr |
250 - 1132 | 0.43fr | 0.46fr |
Transistor PNP, TO-126, 100V, -100V, -4A - BD682. Transistor PNP, TO-126, 100V, -100V, -4A. Boîtier: TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD681. Type de transistor: PNP. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: PNP. Type: transistor Darlington. Diode intégrée: oui. Puissance: 40W. Gain hFE min.: 750. Courant maximum 1: -4A. Tension IGBT VRSM maxi: NF-L. Information: 40W. Série: BD682. MSL: +150°C. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 01:25.
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