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Transistor PNP, 8A, 100V - BD902

Transistor PNP, 8A, 100V - BD902
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Transistor PNP, 8A, 100V - BD902. Transistor PNP, 8A, 100V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 70W. Type de transistor: PNP. Remarque: >750. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD901. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.

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Transistor PNP, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor Darlington. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Fonction: commutation, amplificateur audio. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP102. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 150 Ohms. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Gain hFE maxi: 750. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. C (in): oui. C (out): -100V. Nombre de connexions: 3. Fonction: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX33C. Diode BE: non. Diode CE: oui
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