FR
DE IT
Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers

Transistor BC547B

Transistor BC547B
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Quantité (Lot de 5) HT TTC
1 - 2 0.22fr 0.24fr
3 - 4 0.21fr 0.23fr
5 - 9 0.20fr 0.22fr
10 - 19 0.19fr 0.21fr
20 - 49 0.18fr 0.19fr
50 - 99 0.15fr 0.16fr
100 - 3200 0.14fr 0.15fr
Quantité (Lot de 5) U.P
1 - 2 0.22fr 0.24fr
3 - 4 0.21fr 0.23fr
5 - 9 0.20fr 0.22fr
10 - 19 0.19fr 0.21fr
20 - 49 0.18fr 0.19fr
50 - 99 0.15fr 0.16fr
100 - 3200 0.14fr 0.15fr
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Quantité en stock : 15997
Lot de 5

Transistor BC547B. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC547B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar-Transistor'. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC557B. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.

Produits équivalents :

Quantité en stock : 17530
BC546B

BC546B

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-92. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit impr...
BC546B
Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-92. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC556B. Diode BE: non. Diode CE: non
BC546B
Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-92. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC556B. Diode BE: non. Diode CE: non
Lot de 1
0.06fr TTC
(0.06fr HT)
0.06fr

Nous vous recommandons aussi :

Quantité en stock : 14160
BC556B

BC556B

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDE...
BC556B
[LONGDESCRIPTION]
BC556B
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0522fr TTC
(0.0483fr HT)
0.0522fr
Quantité en stock : 261
MOR2WS-47K

MOR2WS-47K

Résistance, 47k Ohms, 2W. Résistance: 47k Ohms. Puissance: 2W. Type de résistance: Couche métall...
MOR2WS-47K
[LONGDESCRIPTION]
MOR2WS-47K
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0789fr TTC
(0.0730fr HT)
0.0789fr
Quantité en stock : 345
MOR2WS-10K

MOR2WS-10K

Résistance, 10k Ohms, 2W. Résistance: 10k Ohms. Puissance: 2W. Type de résistance: Couche métall...
MOR2WS-10K
[LONGDESCRIPTION]
MOR2WS-10K
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0746fr TTC
(0.0690fr HT)
0.0746fr
Quantité en stock : 47217
1N4148

1N4148

Diode. Cj: 4pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.):...
1N4148
[LONGDESCRIPTION]
1N4148
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0150fr TTC
(0.0139fr HT)
0.0150fr
Quantité en stock : 415440
1N4007

1N4007

Diode. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Mat...
1N4007
[LONGDESCRIPTION]
1N4007
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0259fr TTC
(0.0240fr HT)
0.0259fr
Quantité en stock : 1012
BC560C

BC560C

Transistor. C (out): 2.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 ...
BC560C
[LONGDESCRIPTION]
BC560C
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.1018fr TTC
(0.0942fr HT)
0.1018fr
Quantité en stock : 472
BC546C

BC546C

Transistor. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MH...
BC546C
[LONGDESCRIPTION]
BC546C
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0838fr TTC
(0.0775fr HT)
0.0838fr
Quantité en stock : 161
BTB16-600BW

BTB16-600BW

Triac. Igt (max): 50mA. Igt (Type): 50mA. Ih (max): 50mA. Ih (Type): 50mA. IT(RSM) (TC=85°C): 16A. ...
BTB16-600BW
[LONGDESCRIPTION]
BTB16-600BW
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.50fr TTC
(1.39fr HT)
1.50fr
Quantité en stock : 10273
1N4004

1N4004

Diode. RoHS: oui. Boîtier: DO-41. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Ano...
1N4004
[LONGDESCRIPTION]
1N4004
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0362fr TTC
(0.0335fr HT)
0.0362fr

Renseignements et aide technique

Par téléphone :

Paiement et livraison

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

S'abonner à la newsletter

J'accepte de recevoir des emails, et je comprends que je peux me désabonner à tout moment après inscription.

Tous droits réservés, RPtronics, 2024.