Transistor BU2508AF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.01fr | 2.17fr |
| 5 - 9 | 1.91fr | 2.06fr |
| 10 - 24 | 1.81fr | 1.96fr |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.01fr | 2.17fr |
| 5 - 9 | 1.91fr | 2.06fr |
| 10 - 24 | 1.81fr | 1.96fr |
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Transistor BU2508AF. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247FP. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 07:25.
Produits équivalents :
BU2508AX
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant...
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V
FJAF6810A
Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Courant de col...
Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810A. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 0.2us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commutation rapide. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non
Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810A. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 0.2us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commutation rapide. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non
Nous vous recommandons aussi :
2SC5793
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrahigh-Defi...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
TT2206
Transistor. C (out): 80pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 10A. Dissipat...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
KA3S1265RD
Circuit intégré. Remarque: limitation de courant 8A. Remarque: fréquence oscillateur 20kHz. Remar...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
LA7845
Circuit intégré. Remarque: I2p-p--2.2A. Nombre de connexions: 7. Dissipation de puissance maxi: 11...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.