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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V - FJAF6810A

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V - FJAF6810A
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25 - 49 1.07fr 1.16fr
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V - FJAF6810A. Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810A. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur Fairchild. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 14:25.

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Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Diode CE: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 24A. Remarque: sérigraphié J6812. Marquage sur le boîtier: J6812. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Diode CE: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 24A. Remarque: sérigraphié J6812. Marquage sur le boîtier: J6812. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V
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