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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2SK2699

Transistor 2SK2699
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5 - 9 3.82fr 4.13fr
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25 - 49 3.42fr 3.70fr
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Transistor 2SK2699. Transistor. C (in): 2600pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K2699. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.

Documentation technique

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Transistor. Type de canal: N. Boîtier: TO-247. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET...
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Transistor. Type de canal: N. Boîtier: TO-247. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 50mA. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: W13NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 61 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 13A. Puissance: 150W. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Nombre de connexions: 3. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Tension drain - source (Vds): 600V. Protection G-S: oui
STW13NK60Z
Transistor. Type de canal: N. Boîtier: TO-247. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 50mA. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: W13NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 61 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 13A. Puissance: 150W. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Nombre de connexions: 3. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Tension drain - source (Vds): 600V. Protection G-S: oui
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