Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.47fr | 1.59fr |
5 - 9 | 1.39fr | 1.50fr |
10 - 24 | 1.32fr | 1.43fr |
25 - 49 | 1.25fr | 1.35fr |
50 - 99 | 1.22fr | 1.32fr |
100 - 137 | 1.19fr | 1.29fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.47fr | 1.59fr |
5 - 9 | 1.39fr | 1.50fr |
10 - 24 | 1.32fr | 1.43fr |
25 - 49 | 1.25fr | 1.35fr |
50 - 99 | 1.22fr | 1.32fr |
100 - 137 | 1.19fr | 1.29fr |
Transistor IRF540. Transistor. C (in): 1700pF. C (out): 560pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 1.3k Ohms. Id(imp): 110A. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.077 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 16:25.
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