Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.91fr | 0.98fr |
2 - 2 | 0.86fr | 0.93fr |
3 - 4 | 0.81fr | 0.88fr |
5 - 9 | 0.77fr | 0.83fr |
10 - 24 | 0.72fr | 0.78fr |
25 - 49 | 0.60fr | 0.65fr |
50 - 60 | 0.56fr | 0.61fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.91fr | 0.98fr |
2 - 2 | 0.86fr | 0.93fr |
3 - 4 | 0.81fr | 0.88fr |
5 - 9 | 0.77fr | 0.83fr |
10 - 24 | 0.72fr | 0.78fr |
25 - 49 | 0.60fr | 0.65fr |
50 - 60 | 0.56fr | 0.61fr |
Transistor 2N4401. Transistor. C (in): 30pF. C (out): 6.5pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 0.6A. Ic(puls): 0.9A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 30 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 16:25.
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