FR
DE IT
Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers

Transistor MJE15030G

Transistor MJE15030G
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Quantité HT TTC
1 - 4 1.87fr 2.02fr
5 - 9 1.78fr 1.92fr
10 - 24 1.68fr 1.82fr
25 - 49 1.59fr 1.72fr
50 - 99 1.59fr 1.72fr
100 - 153 1.62fr 1.75fr
Quantité U.P
1 - 4 1.87fr 2.02fr
5 - 9 1.78fr 1.92fr
10 - 24 1.68fr 1.82fr
25 - 49 1.59fr 1.72fr
50 - 99 1.59fr 1.72fr
100 - 153 1.62fr 1.75fr
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Quantité en stock : 153
Lot de 1

Transistor MJE15030G. Transistor. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 150V. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031G. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 16:25.

Produits équivalents :

Quantité en stock : 76
MJE15030

MJE15030

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: po...
MJE15030
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Diode BE: non. Diode CE: non
MJE15030
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Diode BE: non. Diode CE: non
Lot de 1
1.49fr TTC
(1.38fr HT)
1.49fr
Quantité en stock : 584
MJE15032G

MJE15032G

Transistor. Boîtier: TO-220. Marquage du fabricant: MJE15032G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V...
MJE15032G
Transistor. Boîtier: TO-220. Marquage du fabricant: MJE15032G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 30 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 8A. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15033
MJE15032G
Transistor. Boîtier: TO-220. Marquage du fabricant: MJE15032G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 30 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 8A. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15033
Lot de 1
2.00fr TTC
(1.85fr HT)
2.00fr

Nous vous recommandons aussi :

Quantité en stock : 425
MJE15033G

MJE15033G

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-220. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imp...
MJE15033G
[LONGDESCRIPTION]
MJE15033G
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.19fr TTC
(2.03fr HT)
2.19fr
Quantité en stock : 281
2SA1943

2SA1943

Transistor. C (out): 360pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-c...
2SA1943
[LONGDESCRIPTION]
2SA1943
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
6.30fr TTC
(5.83fr HT)
6.30fr
Quantité en stock : 250
2SC5200

2SC5200

Transistor. C (out): 200pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 M...
2SC5200
[LONGDESCRIPTION]
2SC5200
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
7.20fr TTC
(6.66fr HT)
7.20fr
Quantité en stock : 111
2SA1837

2SA1837

Transistor. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MH...
2SA1837
[LONGDESCRIPTION]
2SA1837
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.17fr TTC
(1.08fr HT)
1.17fr
Quantité en stock : 6
2SA1123

2SA1123

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE ma...
2SA1123
[LONGDESCRIPTION]
2SA1123
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.02fr TTC
(0.94fr HT)
1.02fr
Quantité en stock : 27
2SC4793

2SC4793

Transistor. C (out): 20pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 M...
2SC4793
[LONGDESCRIPTION]
2SC4793
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.88fr TTC
(1.74fr HT)
1.88fr
Quantité en stock : 114
IRFP9240

IRFP9240

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 370pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (...
IRFP9240
[LONGDESCRIPTION]
IRFP9240
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.49fr TTC
(2.30fr HT)
2.49fr
Quantité en stock : 27
JF0825S1H-R

JF0825S1H-R

Ventilateur. Alimentation moteur: courant continu DC. Roulement: système de palier lisse. Tension: ...
JF0825S1H-R
[LONGDESCRIPTION]
JF0825S1H-R
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
6.01fr TTC
(5.56fr HT)
6.01fr
Quantité en stock : 28
2SD712

2SD712

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Courant de co...
2SD712
[LONGDESCRIPTION]
2SD712
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.96fr TTC
(0.89fr HT)
0.96fr
Quantité en stock : 267
BDX33C

BDX33C

Transistor. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Gain hFE maxi: 750. Gain hFE mini: 100. Ic...
BDX33C
[LONGDESCRIPTION]
BDX33C
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.72fr TTC
(0.67fr HT)
0.72fr

Renseignements et aide technique

Par téléphone :

Paiement et livraison

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

S'abonner à la newsletter

J'accepte de recevoir des emails, et je comprends que je peux me désabonner à tout moment après inscription.

Tous droits réservés, RPtronics, 2024.