Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.75fr | 2.97fr |
5 - 9 | 2.61fr | 2.82fr |
10 - 24 | 2.53fr | 2.73fr |
25 - 42 | 2.47fr | 2.67fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.75fr | 2.97fr |
5 - 9 | 2.61fr | 2.82fr |
10 - 24 | 2.53fr | 2.73fr |
25 - 42 | 2.47fr | 2.67fr |
Transistor canal N, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, TO-247, 600V, 600V, 0.55 Ohms - STW13NK60Z. Transistor canal N, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, TO-247, 600V, 600V, 0.55 Ohms. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. Tension drain - source (Vds): 600V. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 40A. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: W13NK60Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 61 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 13A. Puissance: 150W. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 20:25.
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