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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor SPW17N80C3

Transistor SPW17N80C3
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Transistor SPW17N80C3. Transistor. C (in): 2320pF. C (out): 1250pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 51A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 17N80C3. Dissipation de puissance maxi: 208W. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.

Documentation technique

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Transistor. C (in): 2320pF. C (out): 1250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 51A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 17N80C3. Dissipation de puissance maxi: 208W. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non
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