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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor CEB6030L

Transistor CEB6030L
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1 - 4 0.89fr 0.96fr
5 - 9 0.85fr 0.92fr
10 - 24 0.81fr 0.88fr
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50 - 99 0.74fr 0.80fr
100 - 249 0.72fr 0.78fr
250 - 718 0.69fr 0.75fr
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Transistor CEB6030L. Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

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Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1
NDB6030L
Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1
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1.57fr TTC
(1.45fr HT)
1.57fr
Quantité en stock : 285
SPB56N03L

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Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id (T=25°C): 56A. Idss (maxi): 56A. Marquage sur le boîtier: 56N03L. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1
SPB56N03L
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