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Diode 1N5396

Diode 1N5396
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Diode 1N5396. Diode. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 500V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 16:25.

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