Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.54fr | 0.58fr |
5 - 9 | 0.51fr | 0.55fr |
10 - 24 | 0.48fr | 0.52fr |
25 - 49 | 0.46fr | 0.50fr |
50 - 99 | 0.43fr | 0.46fr |
100 - 149 | 0.40fr | 0.43fr |
150 - 759 | 0.38fr | 0.41fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.54fr | 0.58fr |
5 - 9 | 0.51fr | 0.55fr |
10 - 24 | 0.48fr | 0.52fr |
25 - 49 | 0.46fr | 0.50fr |
50 - 99 | 0.43fr | 0.46fr |
100 - 149 | 0.40fr | 0.43fr |
150 - 759 | 0.38fr | 0.41fr |
Diode 1N914. Diode. Cj: 4pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 300mA. IFSM: 4A. IRM (max): 5uA. IRM (min): 25nA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Température de fonctionnement: 0...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 620mV. VRRM: 100V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 20:25.
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