Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.23fr | 0.25fr |
10 - 24 | 0.22fr | 0.24fr |
25 - 49 | 0.21fr | 0.23fr |
50 - 99 | 0.18fr | 0.19fr |
100 - 249 | 0.17fr | 0.18fr |
250 - 499 | 0.15fr | 0.16fr |
500 - 4155 | 0.14fr | 0.15fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.23fr | 0.25fr |
10 - 24 | 0.22fr | 0.24fr |
25 - 49 | 0.21fr | 0.23fr |
50 - 99 | 0.18fr | 0.19fr |
100 - 249 | 0.17fr | 0.18fr |
250 - 499 | 0.15fr | 0.16fr |
500 - 4155 | 0.14fr | 0.15fr |
Diode, 5A, 200A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 800V - BY500-800. Diode, 5A, 200A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 800V. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 10uA. IRM (min): 220A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 06:25.
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