Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.36fr | 0.39fr |
10 - 24 | 0.34fr | 0.37fr |
25 - 49 | 0.33fr | 0.36fr |
50 - 99 | 0.32fr | 0.35fr |
100 - 249 | 0.29fr | 0.31fr |
250 - 499 | 0.28fr | 0.30fr |
500 - 2609 | 0.27fr | 0.29fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.36fr | 0.39fr |
10 - 24 | 0.34fr | 0.37fr |
25 - 49 | 0.33fr | 0.36fr |
50 - 99 | 0.32fr | 0.35fr |
100 - 249 | 0.29fr | 0.31fr |
250 - 499 | 0.28fr | 0.30fr |
500 - 2609 | 0.27fr | 0.29fr |
Diode, 6A, 200A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ), 1000V - FR607. Diode, 6A, 200A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ), 1000V. IF(AV): 6A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Cj: 100pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Produit d'origine constructeur Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 17:25.
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