Diodes standard et de redressement

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 600V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 800V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 1000V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 80A, 500A, TO-247, TO-247-2, 1000V. IF(AV): 80A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-2. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 125 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode ultrarapide. IRM (max): 2mA. IRM (min): 250uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 30A, 325A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 325A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Recovery Diode. Nombre de connexions: 2. Spec info: pinout--1. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 16A, 150A, TO-220, TO-220AB, 40V. IF(AV): 16A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 40V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Remarque: double diode au silicium. Remarque: Ifsm 150A/10ms. Nombre de connexions: 3. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.48V

Diode, 100V, 1A. VRRM: 100V. Courant redressé moyen par diode: 1A. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.1V / 1A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: <50uA / 100V. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Série: S1

Diode, 1A, 30A, DO-214, SMA DO214AC, 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Cj: 12pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1.8us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diodes de redressement à usage général. Remarque: sérigraphie/code CMS 1M. Remarque: boîtier 4.6x2.7mm. Marquage sur le boîtier: 1 M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 100V, 2A. VRRM: 100V. Courant redressé moyen par diode: 2A. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.15V / 2A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: <100uA / 100V. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Série: S2

Diode, 1.5A, 200V. IF(AV): 1.5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, oui, 1000V, 2A. Boîtier: oui. VRRM: 1000V. Courant redressé moyen par diode: 2A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.15V / 2A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: <100uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Information: 1.15V @ 2A. Série: S2. MSL: 5uA..100uA

Diode, 3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 1500V. IF(AV): 3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 4.2x4.3mm. Remarque: 50App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, oui, 1000V, 3A. Boîtier: oui. VRRM: 1000V. Courant redressé moyen par diode: 3A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.15V / 3A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: <200uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Information: 1.15V @ 3A. Série: S3. MSL: 5uA..200uA

Diode, 3A, 100A, DO-214, SMB DO214AA, 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.15V. Tension de seuil Vf (min): 1.15V

Diode, 5A, 180A, DO-214, SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ), 1000V. IF(AV): 5A. IFSM: 180A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redressement secteur 50/60 Hz. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: S5M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 100V, DO15, 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 100V. Boîtier: DO15. Courant redressé moyen par diode: 1A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <0.79V / 1A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 500uA / 100V. Temps de récupération inverse (max): 0.5mA. Information: 2. Série: SB1. MSL: n/a

Diode, DO15, 20V, 1A. Boîtier: DO15. VRRM: 20V. Courant redressé moyen par diode: 1A. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <0.50V / 1A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 500uA / 20V. Série: SB1. MSL: n/a

Diode, DO15, 30V, 1A. Boîtier: DO15. VRRM: 30V. Courant redressé moyen par diode: 1A. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <0.50V / 1A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 500uA / 30V. Série: SB1. MSL: n/a

Diode, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 40V, DO15, 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Boîtier: DO15. Courant redressé moyen par diode: 1A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <0.50V / 1A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 500uA / 40V. Temps de récupération inverse (max): 0.5mA. Information: 2. Série: SB1. MSL: n/a

Diode, 1A, 40A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 60V. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 60V. RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): soudure sur circuit imprimé. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.7V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V

Diode, 1A, 40A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 90V. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 90V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V

Diode, 2A, 50A, DO-15, DO-15 ( 6.3x3.0mm ), 100V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: diode de redressement Schottky. Remarque: IFSM--50Ap/10mS. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 0.79V

Diode, 2A, 50A, DO-15, DO-15 ( 6.3x3.0mm ), 40V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Remarque: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V

Diode, 15A, 275A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 15A. IFSM: 275A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky. Remarque: Total IF(AV) 2ch 30A. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--275A t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, 100A, DO-201, DO-201 ( 4.5x7.5mm ), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 100V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Trr Diode (Min.): indépendant