Diodes standard et de redressement

Diode, 20A, 100A, TO-220FP, TO-220F, 530V. IF(AV): 20A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 530V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 23 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.65V. Spec info: Silicon epitaxial planer

Diode, 1.5A, 50A, DO-15, D2A ( 4.0x7.2mm ), 70V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Remarque: SAMSUNG. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Poids: 0.6g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Spec info: IFMS 50Ap

Diode, 2A, 50A, DO-27, DO-27 ( 6.5x8.0mm ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 100us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. Remarque: SAMSUNG 0402-000250. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 2V

Diode, 2A, 60A, DO-27, DO-27 ( 6.5x8.0mm ), 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. Remarque: SAMSUNG 0402-000250. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 3V. Tension de seuil Vf (min): 3V

Diode, 3A, 80A, DO-27, DO-27 ( 6.5x8.0mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 0.5A, 20A, DO-15, DO-15 ( 2.7x5.2mm ), 2000V. IF(AV): 0.5A. IFSM: 20A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 2000V. Cj: 5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS

Diode, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Remarque: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Diode, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 400V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Diode, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Remarque: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Diode, DO-204, DO-204AC, 400V. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 50App/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, DO-204, DO-204AC, 600V. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 50App/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, DO-204, DO-204AC, 1000V. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 50App/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 2A, 100V. IF(AV): 2A. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ifsm--80A/8.2ms. Distance entre connexions (pas): 9.5x5.3mm. Remarque: GI, S

Diode, 2A, 200V. IF(AV): 2A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ifsm--80A/8.2ms. Distance entre connexions (pas): 9.5x5.3mm. Remarque: GI, S

Diode, 3A, 400V. IF(AV): 3A. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 125A/PP. Remarque: GI, S

Diode, 3A, DO-201, DO-201AD, 1000V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 125App/8.3ms. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: GI, S

Diode, 1A, 60A, DO-201, DO-201 ( 4.4x7.5mm ), 1500V. IF(AV): 1A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). VRRM: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'damper'. Remarque: Samsung--32169-301-670. Remarque: Samsung--CK6813Z/SEH. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 2.5A, 50A, DO-201, DO-201 ( 6.5x8.0mm ), 1500V. IF(AV): 2.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'damper'. Remarque: Samsung--0402-000266. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V

Diode, 15A, 200A, TO-220, TO-220AC-2, 1200V. IF(AV): 15A. IFSM: 200A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 65 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Hyperfast Diode. Remarque: Diode hyper rapide. IRM (max): 500uA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V. Spec info: Ifsm--200Ap

Diode, 15A, 30A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 30A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 60pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Hyperfast with Soft Recovery. Remarque: Diode hyper rapide. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifsm--200Ap (1 Phase, 60Hz)

Diode, 30A, 300A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 65 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Hyperfast with Soft Recovery. Marquage sur le boîtier: RHR30120. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cj: 25pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 55 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Diode hyper rapide. IRM (max): 500uA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz)

Diode, 8A, 16A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 16A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: oui. Cj: 25pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode hyper rapide. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 2.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifsm 100App (60Hz)

Diode, 2A, 70A, DO-15, DO-15 ( 7.6x3.6mm ), 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon Rectifier. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifsm--70Ap t=8.3mS

Diode, 3.5A, 80A, DO-27, DO-27 ( 5.2x8.0mm ), 200V. IF(AV): 3.5A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). VRRM: 200V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Distance entre connexions (pas): 8x6.5mm. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. Remarque: diode de redressement à récupération ultra-rapide