Diodes standard et de redressement

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 45 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. IFSM: 45A. IRM (max): 0.3mA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension de seuil Vf (max): 2.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.35V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--45Ap. Fonction: diode ultra-rapide, haute tension

Diode. RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 48 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast recovery - high voltage diode. IF(AV): 12A. IFSM: 80A. Marquage sur le boîtier: STTH1210D. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--80Ap T=10ms

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 55 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2x100A. IFSM: 100A. IRM (max): 2mA. IRM (min): 200uA. Nombre de connexions: 4. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V. VRRM: 300V. Spec info: IFSM--diode/100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Fonction: Diode de redressement haute tension ultrarapide double

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. IF(AV): 10A. IFSM: 110A. IRM (max): 300uA. IRM (min): 30uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. IF(AV): 10A. IFSM: 110A. IRM (max): 300uA. IRM (min): 30uA. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. IF(AV): 10A. IFSM: 110A. IRM (max): 300uA. IRM (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: AXIAL TURBO 2 DIODE. Date de production: 201506. IF(AV): 2A. IFSM: 40A. IRM (max): 12uA. IRM (min): 2uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--40App, t=10mS

Diode. Remarque: isolation 2500V. Remarque: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms. Boîtier: DO-247. Boîtier (selon fiche technique): DO-247. Remarque: diode haute tension, à récupération ultra-rapide

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode ultra-rapide à haut rendement. IF(AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension ultra-rapide. IF(AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension ultra-rapide. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.85V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--300Ap

Diode. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 22 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode ultra-rapide à haut rendement. IF(AV): 60A. IFSM: 330A. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V. VRRM: 200V. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Marquage sur le boîtier: STTH802. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FPAC. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: diodes de redressement ultra-rapides (min 17ns, max 30ns). Unité de conditionnement: 50. Spec info: Ifsm 100Ap

Diode. Conditionnement: rouleau. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Diode. Conditionnement: rouleau. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V. VRRM: 400V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Diode. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Unité de conditionnement: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Diode. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 0.15A. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80. VRRM: 100V. Nombre de connexions: 2. Remarque: IFSM 0.75App/10ms

Diode. RoHS: oui. Boîtier: SMD 0805. Cj: 4pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes haute vitesse. IF(AV): 150mA. IFSM: 500mA. Autre nom: IN4148. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky à faible tension de seuil. Montage en surface (CMS). IF(AV): 3A. IFSM: 50A. IRM (max): 1mA. Marquage sur le boîtier: W3U45. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.47V. Tension de seuil Vf (min): 0.33V. VRRM: 45V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky à faible tension de seuil. Montage en surface (CMS). IF(AV): 3A. IFSM: 50A. IRM (max): 1mA. Marquage sur le boîtier: W3U60. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.58V. Tension de seuil Vf (min): 0.39V. VRRM: 60V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 0.6A. VRRM: 600V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 800V. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S

Diode. Cj: 50pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra fast switching. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms